國(guó)際整流器公司（International Rectifier）成立于1947年，是主要的全球功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。IR的產(chǎn)品通過電能轉(zhuǎn)換，為各種電源系統(tǒng)、電機(jī)傳動(dòng)系統(tǒng)及照明鎮(zhèn)流器提供能源。

IR的HEXFET功率MOSFET、IGBT及HVIC產(chǎn)品均已獲得專利，力求成為全球功率轉(zhuǎn)換器件行業(yè)的領(lǐng)袖。在世界市場(chǎng)上，現(xiàn)在有超過70%的HEXFET功率MOSFET生產(chǎn)廠商向IR購(gòu)買專利。

IR的先進(jìn)技術(shù)及產(chǎn)品，可應(yīng)用于汽車、家用電器、計(jì)算機(jī)及其外圍設(shè)備、工業(yè)、照明、通訊、軍品及宇航等方面，改善了電子及電器設(shè)備的性能及能源利用效率。生產(chǎn)廠商向我們購(gòu)買專利。

國(guó)際整流器公司在世界范圍內(nèi)擁有員工5800人，在美國(guó)、墨西哥、英國(guó)及意大利設(shè)有制造廠

英飛凌和國(guó)際整流器

英飛凌和國(guó)際整流器公司的強(qiáng)力整合為客戶帶來獨(dú)特的價(jià)值。兩家公司在分銷實(shí)力、富有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品、技術(shù)研發(fā)以及創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)上都具有極佳的互補(bǔ)性。我們的顧客因而可以受益于以下幾個(gè)方面：

更強(qiáng)大的技術(shù)支持
更廣泛的產(chǎn)品系列
更全面的先進(jìn)解決方案

國(guó)際整流器公司深諳特定客戶需求并具備優(yōu)秀的應(yīng)用知識(shí)，必定會(huì)在英飛凌“從產(chǎn)品思維到系統(tǒng)理解”的戰(zhàn)略中發(fā)揮重要作用。

通過協(xié)同效應(yīng)我們的成就將遠(yuǎn)超以往。

英飛凌和國(guó)際整流器公司強(qiáng)力整合，在以下方面為客戶提供巨大價(jià)值：

更強(qiáng)大的技術(shù)支持

現(xiàn)在，我們更貼近顧客。借助于國(guó)際整流器，英飛凌在美國(guó)這樣一個(gè)創(chuàng)新中心，尤其是在互聯(lián)領(lǐng)域，強(qiáng)化了戰(zhàn)略布局。英飛凌將進(jìn)一步鞏固在亞洲這個(gè)重要市場(chǎng)的地位。分銷渠道的增加有利于英飛凌服務(wù)于更大范圍的客戶群。

更廣泛的技術(shù)支持

國(guó)際整流器公司在低功率、高能效IGBT和智能功率模塊、功率MOSFET以及數(shù)字電源管理芯片方面具備的專業(yè)知識(shí)將與英飛凌的電源器件和模塊系列完美地結(jié)合在一起。更寬廣的產(chǎn)品系列使我們成為一站式合作伙伴，能夠在能源效率、移動(dòng)性和安全性方面提供更廣泛的產(chǎn)品與解決方案。

更全面的先進(jìn)解決方案

英飛凌收購(gòu)的是在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商。這使我們可以加速實(shí)現(xiàn)基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖。在硅基，碳化硅和氮化鎵等功率器件領(lǐng)域，客戶將獲得寬廣的更豐富的先進(jìn)解決方案。此外，國(guó)際整流器全面的單晶片和多晶片封裝解決方案將加強(qiáng)英飛凌的封裝系列。

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國(guó)際整流器_IR

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英飛凌和國(guó)際整流器

英飛凌和國(guó)際整流器公司強(qiáng)力整合，在以下方面為客戶提供巨大價(jià)值：

更強(qiáng)大的技術(shù)支持

更廣泛的技術(shù)支持

更全面的先進(jìn)解決方案

“國(guó)際整流器_IR”產(chǎn)品選擇

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