Semikron SEMITOP? IGBT 模塊包含兩個串聯(lián)(半橋)IGBT 設(shè)備。該模塊提供各種電壓和電流額定值,且適用于各種功率切換應(yīng)用,如交流變頻電動機(jī)驅(qū)動器和不間斷電源。
緊湊型 SEMITOP? 封裝
適用于高達(dá) 12kHz 的切換頻率
絕緣銅基板使用直接粘結(jié)技術(shù)
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
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最大連續(xù)集電極電流 | 115 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
封裝類型 | SEMITRANS2 |
配置 | 雙半橋 |
安裝類型 | 面板安裝 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 7 |
晶體管配置 | 串行 |
尺寸 | 94 x 34 x 30.1mm |