Vishay 功率 MOSFET 具有低柵極電荷 Qg ,可實(shí)現(xiàn)簡單的驅(qū)動要求,且具有改進(jìn)的柵極,雪崩和動態(tài) dV/dt 堅(jiān)固性。
工作接點(diǎn)和存儲溫度范圍 - 55 至 + 150°C
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 5 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.4 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 74 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 寬度 | 4.7mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 長度 | 10.41mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |