| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | WDFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 72 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 3.15mm |
| 長度 | 3.15mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14 nC @ 4.5 V,25 nC @ 10 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +175 °C |