Infineon 系列的 CoolMOS?E6 和 P6 系列 MOSFET。 這些高效率設(shè)備可用于多種應(yīng)用,包括功率因數(shù)校正 (PFC)、照明和消費設(shè)備以及太陽能、電信和服務(wù)器。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 10.6 A |
最大漏源電壓 | 700 V |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 380 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大功率耗散 | 31 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 4.57mm |
典型柵極電荷@Vgs | 10 V 時,39 常閉 |
長度 | 10.36mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |