Infineon 為電動機控制應用提供全面的強建 N 通道和 P 通道 MOSFET 設備組合。
同步整流 MOSFET 設備的組合，適用于交流-直流電源，支持客戶對更高功率密度、更小尺寸、更便于攜帶和更靈活的系統的需求。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 60 A |
| 最大漏源電壓 | 250 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 33 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 390 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.66mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 99 nC @ 10 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 4.82mm |
