Vishay 第三代功率 MOSFET 為設(shè)計人員提供了快速切換,耐震設(shè)備設(shè)計,低接通電阻和成本效益的最佳組合。TO-220AB 封裝是功耗水平約為 50 W 的所有商業(yè) - 工業(yè)應(yīng)用的通用首選
動態(tài) dV/dt 額定值
重復(fù)性耐雪崩等級
簡單的驅(qū)動器要求
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 4 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.2 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 43 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 10.41mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 4.7mm |