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Infineon IRFU120NPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRFU120NPBF 品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問(wèn)題。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon IRFU120N 是 100V 單 N 通道功率 MOSFET ，采用 I-Pak 封裝。IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用久經(jīng)考驗(yàn)的硅工藝，提供廣泛的器件產(chǎn)品組合，支持各種應(yīng)用，如直流電動(dòng)機(jī)，變頻器， SMPS ，照明，負(fù)載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用。

表面安裝
直向引線
快速切換
無(wú)導(dǎo)線

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	9.4 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	IPAK (TO-251)
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	210 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	48 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長(zhǎng)度	6.6mm
典型柵極電荷@Vgs	25 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	2.3mm

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