當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





訂 貨 號(hào):NTLJD3119CTBG 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個(gè)封裝中同時(shí)采用 P 和 N 通道,非常適用于低控制信號(hào),低電池電壓和高負(fù)載電流。N 通道具有內(nèi)部 ESD 保護(hù)功能,可以由低至 1.5V 的邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng),而 P 通道則設(shè)計(jì)用于負(fù)載切換應(yīng)用。P 信道還采用半溝道技術(shù)設(shè)計(jì)。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N,P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 4.1 A,4.6 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類(lèi)型 | WDFN |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 120 mΩ, 200 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.3 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -8 V、+8 V |
| 寬度 | 2mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 3.7 nC @ 4.5 V,5.5 nC @ 4.5 V |
| 長(zhǎng)度 | 2mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |