MDmesh M5 功率 MOSFET 優(yōu)化用于高功率 PFC 和 PWM 拓?fù)洹?主要特征包括每硅面積的低通態(tài)損耗硅片面積與低柵極電荷。 它們設(shè)計用于節(jié)能、緊湊型且可靠的硬切換應(yīng)用,例如太陽能轉(zhuǎn)換器、消費產(chǎn)品電源和電子照明控制。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 10 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | PowerFLAT HV |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 374 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 3 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
長度 | 8mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 8mm |