| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 10.9 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 20 MΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.5V |
| 最大功率耗散 | 4.17 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -12 V、+12 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 寬度 | 4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 15.3 nC @ 5 V |
| 長度 | 5mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |