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      Infineon IRF7509TRPBF MOSFET

      訂 貨 號(hào):IRF7509TRPBF      品牌:國際整流器_IR

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IRF7509TRPBF MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      雙 N/P 通道功率 MOSFET,Infineon

      Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備,以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項(xiàng),設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 N/P 通道配置。

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N,P
      最大連續(xù)漏極電流 2 A,2.7 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 MSOP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 110 mΩ, 200 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 1V
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 1.25 W
      晶體管配置 隔離式
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      典型柵極電荷@Vgs 7.5 nC @ 10 V,7.8 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      長度 3mm
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 3mm
      晶體管材料 Si
      暫無

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