產(chǎn)品分類

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      IXYS IXFR32N100Q3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IXFR32N100Q3      品牌:艾賽思_IXYS

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      IXYS IXFR32N100Q3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列

      HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用,可提供帶有卓越強(qiáng)度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個(gè)快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達(dá) 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

      快速本質(zhì)整流器二極管
      低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
      低本質(zhì)柵極電阻
      工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
      低封裝電感
      高功率密度

      MOSFET 晶體管,IXYS

      IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 23 A
      最大漏源電壓 1000 V
      封裝類型 ISOPLUS247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 350 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 6.5V
      最大功率耗散 570 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      典型柵極電荷@Vgs 195 nC @ 10 V
      寬度 5.21mm
      最高工作溫度 +150 °C
      長(zhǎng)度 16.13mm
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無(wú)

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