N-溝道增強模式功率 MOSFET
- 低接通電阻
- 低噪聲
- 低切換損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 190 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 5.03mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 15.9mm |
