Infineon IRFB3206GPBF MOSFET
產品詳細信息
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統效率。
MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
210 A |
| 最大漏源電壓 |
60 V |
| 封裝類型 |
TO-220 |
| 安裝類型 |
通孔 |
| 引腳數目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
3 mΩ |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大功率耗散 |
300 W |
| 晶體管配置 |
單 |
| 最大柵源電壓 |
-20 V、+20 V |
| 最高工作溫度 |
+175 °C |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
| 寬度 |
4.83mm |
| 典型柵極電荷@Vgs |
29 nC @ 10 V |
| 長度 |
10.67mm |
| 晶體管材料 |
Si |
