MOSFET的設計采用基于網格覆蓋工藝的意法半導體統一帶布局，產品的性能與其他制造商的可比標準件相匹配或有所提高。
100%雪崩測試
固有電容和Qg最小化
高速切換
完全隔離至-3PF塑料封裝，爬電距離路徑為5.4 mm（典型值）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.5 A |
| 最大漏源電壓 | 1500 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 9 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 長度 | 10.4mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 4.6mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 29.3 nC @ 10 V |
