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訂 貨 號(hào):IRF7314TRPBF 品牌:國(guó)際整流器_IR
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備,以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項(xiàng),設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 P 通道配置。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 5.3 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 98 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 0.7V |
最小柵閾值電壓 | 0.7V |
最大功率耗散 | 2 W |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -12 V、+12 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
長(zhǎng)度 | 5mm |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |