DirectFET ?2 功率MOSFET 提供卓越的功率密度、雙面冷卻以及低寄生電感和電阻,采用堅固符合 AEC-Q101 的封裝,適用于汽車應(yīng)用。 DirectFET?2 MOSFET 是久經(jīng)考驗的 DirectFET 封裝技術(shù)的可靠性和性能與 Infineon 的最新通道硅工藝的完美組合,在整體系統(tǒng)級尺寸、成本和效率方面均有改進。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 40 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DirectFET M2 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 7 |
最大漏源電阻值 | 4.9 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大功率耗散 | 46 W |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
長度 | 6.35mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 5.05mm |