來自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 適用于要求堅固性和高可靠性的汽車應用。
? 符合 AEC-Q101 標準
? 接點溫度高達 +175°C
? 低導通電阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技術
? 創新型節省空間封裝選項
AEC-Q101
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 120 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 220 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 10.41mm |
| 寬度 | 9.652mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
