Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
Infineon IRFP4710 是 100V 單 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET ,采用 TO-247AC 封裝。此設(shè)備用于高頻直流 - 直流轉(zhuǎn)換器和電動機(jī)控制。
完全具有雪崩電壓和電流特征
無導(dǎo)線
低柵極漏電荷,可減少切換損耗
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 72 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | TO-247AC |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 14 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5.5V |
最小柵閾值電壓 | 3.5V |
最大功率耗散 | 190 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 5.3mm |
典型柵極電荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
長度 | 15.9mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +175 °C |