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Infineon IRF9Z24NPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRF9Z24NPBF 品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V

Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線(xiàn)封裝的P通道器件，以及可應(yīng)對(duì)幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計(jì)難題的外形尺寸。在整個(gè)系列內(nèi)，電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗，使設(shè)計(jì)人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	P
最大連續(xù)漏極電流	12 A
最大漏源電壓	55 V
封裝類(lèi)型	TO-220AB
安裝類(lèi)型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	175 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	45 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	19 nC @ 10 V
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	Si

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