Infineon IRFS7734-7PPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
| 屬性 |
數(shù)值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續(xù)漏極電流 |
197 A |
| 最大漏源電壓 |
75 V |
| 封裝類型 |
D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 |
7 |
| 最大漏源電阻值 |
3.1 mΩ |
| 通道模式 |
增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 |
3.7V |
| 最小柵閾值電壓 |
2.1V |
| 最大功率耗散 |
294 W |
| 晶體管配置 |
單 |
| 最大柵源電壓 |
-20 V、+20 V |
| 寬度 |
9.65mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 |
1 |
| 典型柵極電荷@Vgs |
180 nC @ 10 V |
| 晶體管材料 |
Si |
| 最高工作溫度 |
+175 °C |
| 長度 |
10.54mm |