在半導體方面， P 通道 MOSFET 采用半導體專有的高細胞密度 DMOS 技術制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態電阻，從而為快速交換提供堅固可靠的性能。
?電壓控制的 P 通道小信號開關
?高密度單元設計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術
?負載切換
? DC/DC 轉換器
?電池保護
?電源管理控制
?直流電機控制
on ON Semiconductor NDS356AP 是 p 溝道邏輯電平增強型功率場效應晶體管、由高細胞密度、側流晶體管技術制成。此非常高密度的過程專門定制、有效減少通態電阻。這些設備特別適用于低電壓應用、如需要快速高側切換和低直插式電源損耗的筆記本電腦電源管理、便攜式電子產品和其他電池供電電路。
卓越的接通電阻和最大直流電流容量
工業標準外形、采用了 surface-23 表面安裝封裝
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 900 mA |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SOT-23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 20V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 1.4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 3.4 nC @ 5 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 2.92mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
