產(chǎn)品分類(lèi)

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      STMicroelectronics STB18N60DM2 MOSFET

      訂 貨 號(hào):STB18N60DM2      品牌:Tronics

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      STMicroelectronics STB18N60DM2 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

      MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改進(jìn)的二極管反向恢復(fù)時(shí)間,可提高效率,此系列經(jīng)優(yōu)化可用于全橋相移 ZVS 拓?fù)洹?

      高 dV/dt 能力,可提高系統(tǒng)可靠性
      符合 AEC-Q101

      MOSFET 晶體管,STMicroelectronics


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 12 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類(lèi)型 D2PAK (TO-263)
      安裝類(lèi)型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 290 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5V
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 90 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -25 V、+25 V
      寬度 10.4mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      長(zhǎng)度 9.35mm
      典型柵極電荷@Vgs 20 nC @ 10 V
      暫無(wú)

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