Infineon 600V CoolMOS P7 超結 MOSFET 是 600V CoolMOS ? P6 系列的后繼產品。它繼續在設計過程中兼顧對高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ?第 7 代平臺固有的低柵極電荷 (QG) 可確保其高效率。
600V P7 可啟用出色的 FOM RDS (接通) xEoss 和 RDS (接通) xQG
集成柵極電阻器 RG
堅固的體二極管
廣泛的產品組合，采用通孔和表面安裝封裝
提供標準級和工業級部件
集成 RG 可降低 MOSFET 振蕩靈敏度
MOSFET 適用于硬和諧振切換拓撲，如 PFC 和 LLC
在 LLC 拓撲結構中，主體二極管硬換向期間具有出色的堅固性
適用于各種終端應用和輸出功率
提供的部件適用于消費和工業應用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 386 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-to 247-3. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.024. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
