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      Infineon IPW60R037CSFDXKSA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPW60R037CSFDXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Infineon IPW60R037CSFDXKSA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS 超結(jié) MOSFET 是經(jīng)過優(yōu)化的設(shè)備,專為滿足板載 EV 充電市場領(lǐng)域的需求而定制。得益于低柵極電荷 (Qg) 和改進(jìn)的切換行為,它可在目標(biāo)市場中提供最高效率。此外,它還隨附集成快速主體二極管和大幅降低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) ,可在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)最高可靠性。由于具有這些功能, IPW60R037CSFD 符合車載 EV 充電站市場的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn),并進(jìn)一步支持高功率密度解決方案。

      超快主體二極管
      杰出反向恢復(fù)電荷 (Qrr)
      改進(jìn)的反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅(jiān)固性


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 236 a
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 PG-to 247-3.
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.037 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4.5V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無

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