產(chǎn)品分類

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      Infineon IPP80R900P7XKSA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPP80R900P7XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPP80R900P7XKSA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      the Infineon 800V coolmos ? P7 超結(jié) mosfet 系列可完全滿足市場(chǎng)對(duì)性能、易用性和性價(jià)比的需求,是低功率開關(guān)電源應(yīng)用的理想選擇。它主要側(cè)重于回掃應(yīng)用、包括適配器和充電器、 led 驅(qū)動(dòng)器、音頻開關(guān)電源、輔助和工業(yè)電源。 與之前的產(chǎn)品以及在典型回掃應(yīng)用中經(jīng)過測(cè)試的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比、此新產(chǎn)品系列可提供高達(dá) 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 溫度。它還可通過更低的切換損耗和更好的 dak r ds ( on )產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度設(shè)計(jì)。總體而言、它可幫助客戶節(jié)省 bom 成本并減少裝配工作量。

      杰出的 fom r ds ( on ) * 減少 qg 、 c iss 和 c oss
      杰出的 dak r ds ( on ) of 280m?
      杰出的 v ( gs ) th 3V 和最小的 v ( gs ) th ± 0.5 v
      集成齊納二極管 esd 保護(hù)、高達(dá) 2 類( hbm )
      杰出的質(zhì)量和
      完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 6 A
      最大漏源電壓 800 V
      封裝類型 TO-220
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 900 mo
      最大柵閾值電壓 3.5V
      暫無

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