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STMicroelectronics STB18N60M2 MOSFET

訂貨號：STB18N60M2 品牌：Tronics

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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N 通道 MDmesh? M2 系列，STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高電壓功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列憑借其低柵極電荷和出色的輸出電容特性，非常適合用于諧振型開關(guān)電源（LLC 轉(zhuǎn)換器）。

MOSFET 晶體管，STMicroelectronics

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	13 A
最大漏源電壓	650 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	280 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	110 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
最高工作溫度	+150 °C
長度	10.4mm
典型柵極電荷@Vgs	21.5 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	9.35mm
晶體管材料	Si

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