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這款 N 通道 MV MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝內(nèi)置了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝已經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低通態(tài)電阻，同時保持同類最佳的柔軟主體二極管

屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)
VGS = 10 V、ID = 21 A 時，最大 RDS（接通）= 6.8 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 17 A 時，最大 RDS（接通）= 11.1 mΩ
具有 5 V 驅(qū)動能力
比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
MSL1 堅(jiān)固封裝設(shè)計


雙冷卻封裝
應(yīng)用
初級直流-直流 MOSFET
直流-直流和交流-直流同步整流器
電動機(jī)驅(qū)動器
太陽能