NCP81075 是高性能雙 MOSFET（高側和低側）柵極驅動器 IC，專為工作電壓高達 180 V 的高壓、高速驅動 MOSFET 而設計。NCP81075 集成了驅動器 IC 和限幅二極管，提供高達 4 A 的驅動能力。高側和低側驅動器可單獨控制，具有相匹配的 3.5 ns 典型傳播延時。此驅動器非常適合用于高電壓降壓應用、隔離電源、2 個開關和有源鉗位前饋轉換器。該設備還可用于太陽能優化器和太陽能逆變器應用。該部件采用 SO8、8 引腳 DFN 和 10 引腳 DFN 封裝，并可在 -40 ℃ 至 140 ℃ 的溫度范圍內工作
驅動高側和低側的兩個 N 通道 MOSFET
集成限幅二極管，用于高側柵極驅動
引導程序電源電壓范圍高達 180 V
4 A 源電流、4 A 匯電流輸出容量
以 8 ns/7 ns 的典型上升/下降時間驅動 1 nF 負載
寬電源電壓范圍（8.5 V 至 20 V）
快速傳播延遲時間（典型值 20 ns）
2 ns 延時匹配（典型值）
用于驅動電壓的欠電壓鎖定 (UVLO) 保護
工作接點溫度范圍：-40°C 至 140°C
應用
降壓轉換器
隔離電源
D 類音頻放大器
兩個開關和有源鉗位正向轉換器
太陽能優化器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4 A |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 寬度 | 4mm |
| 長度 | 5mm |
| 最高工作溫度 | +170 °C |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
