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訂 貨 號(hào):FCB125N65S3 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
on ON Semiconductor iii 系列 n 溝道 mosfet 是高電壓超結(jié)( sj ) mosfet 系列、利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。此先進(jìn) Advanced 技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗、提供卓越的切換性能和耐受極端 dv/dt 速率。
連續(xù)漏極電流額定值為 24A
漏極到電源接通電阻額定值為 125mohm
超低柵極電荷
輸出電容中存儲(chǔ)的能量低
通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
封裝類型為 D2 - pak
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 24 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | D2-PAK |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 125 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |