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      Infineon IPD90N10S4L06ATMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IPD90N10S4L06ATMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon IPD90N10S4L06ATMA1 MOSFET
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                            the Infineon ? T2 系列 n 溝道功率 mosfet 。它具有低切換和傳導功率損耗、可實現高熱效率。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            N 通道 - 增強模式
      MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
      175°C 工作溫度 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    90 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    100 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DPAK (TO-252)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.0066 Ω
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2.1V
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
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