STMicroelectronics 650V 功率 mosfet 具有 119A 額定電流和漏極到源電阻 18m 歐姆。它在每個裝置區域具有低接通電阻和非常好的切換性能。開關損耗的變化幾乎獨立于接點溫度。
極高的工作接點溫度能力（ tj = 175 °c ）
非常快速且堅固的固有主體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 119 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.024 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
