the Infineon ex場 單 n 溝道功率 mosfet 與 dak (至 252 )型封裝集成。此 mosfet 主要用于 ups 、 smp 等
柵極電荷更低、驅(qū)動要求更簡單。
更高的柵極電壓閾值提供改進的抗噪性。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 6 A |
最大漏源電壓 | 500 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.3. Ω |
最大柵閾值電壓 | 5V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |