Infineon IPTC012N08NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分，采用直插式 TOP 側(cè)冷卻封裝，可提供卓越的熱性能。此創(chuàng)新型封裝結(jié)合 OptiMOS 5 技術(shù)的主要功能，使杰出產(chǎn)品具有 80 V 電壓以及 300 A 的高電流額定值，適用于高功率密度設(shè)計(jì)。通過(guò) TOP 側(cè)面冷卻設(shè)置，排放器暴露在封裝表面， 95% 的散熱可直接提升到散熱器，與收費(fèi)封裝相比， RthJA 性能提高 20% ， RthJC 性能提高 50%。通過(guò) Toll 或 D2PAK 等底部散熱封裝，熱量通過(guò)印刷電路板散熱到散熱器，導(dǎo)致高功率損耗。

負(fù)支架
在冷卻系統(tǒng)中節(jié)省成本
提高系統(tǒng)效率，延長(zhǎng)電池壽命