the Infineon - 55V 單 p 通道 hex場 功率 mosfet 采用 d-pak 封裝。
符合 RoHS
低 RDS(接通)
行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量
動態(tài) dv/dt 額定值
快速切換
完全雪崩等級
175°C 工作溫度
P 溝道 MOSFET
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 18 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面安裝器件 |
最大漏源電阻值 | 110 個月 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |