STMicroelectronics 高電壓 n 溝道功率 mosfet 是 mesh DM6 快速恢復二極管系列的一部分。與之前的 mesh 快速生成相比、 DM6 結合了極低的恢復電荷( qrr )、恢復時間( trr )和每個區(qū)域的 rds (接通)極佳改進、具有市場上最有效的切換行為之一、適用于最嚴苛的高效橋接拓撲和 zvs 相移轉換器。
設計用于汽車應用
快速恢復體二極管
與上一代相比、每區(qū)域的 rds (接通)更低
低柵極電荷、輸入電容和電阻
通過 100% 雪崩測試
dv/dt 穩(wěn)定極高
得益于額外的驅動源引腳、具有極佳的切換性能
提供齊納保護
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 72 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO247 - 4 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 39 米Ω |
最大柵閾值電壓 | 4.75V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |