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訂 貨 號(hào):IXTN200N10L2 品牌:艾賽思_IXYS
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

N 通道功率 MOSFET 專門設(shè)計(jì)用于線性操作。這些設(shè)備具有擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)域 (FBSOA),可提高堅(jiān)固性和可靠性。
IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 178 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | SOT-227 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 11 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 830 W |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 25.07mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 540 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 38.23mm |