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Infineon Optimos 5 功率 MOSFET 是 N 溝道 MOSFET，具有非常低的導(dǎo)通電阻和卓越的熱阻。此設(shè)備不含 Pb（鉛）和鹵素。它采用表面安裝、PG-HSOF-8 封裝。

漏極至源極電壓（Vdss）是 150 V
25°C 時連續(xù)漏極電流（Id）是 21 A（Ta），190 A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds 接通，最小 Rds 接通）是 8 V 和 10 V
工作溫度范圍為 -55°C 至 175°C（TJ）