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英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道 MOSFET 具有 80 V 漏源電壓（VDS）和 73 A 漏電流（ID）。與前一代相比，導通電阻 Rds(ON) 減少 43%，特別適用于高切換頻率、調節(jié)器等。專為電信和服務器電源的同步整流設計。此外，還可用于其他工業(yè)應用，如太陽能、低電壓驅動器和適配器。

特別適用于高頻切換和同步錄音
優(yōu)化技術，用于直流/直流轉換器
極佳的柵極充電 x 接通電阻產品（FOM）
非常低的接通電阻
100% 雪崩測試
N 溝道，正常電平
針對目標應用，符合 JEDEC1
無鉛引線鍍層
符合 RoHS 標準
無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準
擴展的源互連，提高焊接接頭可靠性