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訂 貨 號(hào):IPD60R360P7ATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

此 Infineon 600V cool mos P7 超結(jié) mosfet 可在設(shè)計(jì)過(guò)程中繼續(xù)兼顧高效率和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ? 7th 系列平臺(tái)固有的低柵極電荷 (qg) 確保了其高效率。
它具有堅(jiān)固的主體二極管
集成式設(shè)計(jì)可降低 mosfet 振蕩?kù)`敏度
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 9 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類(lèi)型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.36. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |