the Infineon 650V cool mos cfda 超級接點(diǎn)( sj ) mosfet 是 the 英飛凌公司第二代市場領(lǐng)先的汽車高壓 cool mos 功率 mosfet 。除了汽車行業(yè)所需的高質(zhì)量和可靠性的聞名屬性外、 650V cool mos cfda 系列還提供集成快速主體二極管。
首款 650V 汽車認(rèn)證技術(shù)、帶集成快速主體二極管 在市場上
硬換向期間有限電壓過沖–自限制 di/dt 和 dv/dt
低柵極電荷值 q g
車身二極管和上的重復(fù)換向時 q rr 低 低 q oss
減少接通和延時時間
由于擊穿電壓較高、安全裕度增加
減少 emi 外觀、易于設(shè)計
更好的輕負(fù)載效率
降低切換損耗
可提供更高的切換頻率和 / 或更高的占空比
高質(zhì)量和高可靠性
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 57.2 a |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Pg- TO263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大漏源電阻值 | 0.19 o |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |