STMicroelectronics 功率 mosfet 器件使用 st 的 Advanced 和創(chuàng)新的 2nd generation sic mosfet 技術開發(fā)而成。該設備的每個裝置區(qū)域具有非常低的接通電阻和非常好的切換性能。開關損耗的變化幾乎獨立于接點溫度。

極高的工作接點溫度能力（ tj = 200 °c ）
非常快速且堅固的固有主體二極管
極低柵極電荷和輸入電容