850V 超結 X 類功率 MOSFET，具有快速體二極管，代表 IXYS 公司新推出的功率半導體產品系列。這些堅固耐用的設備具有行業內最低通態電阻，在高壓功率轉換應用中實現非常高的功率密度。采用電荷補償原理和專有工藝技術開發而成，全新的 850V 設備具有最低通態電阻（例如，SOT-227 封裝為 33 毫歐，PLUS264 為 41 毫歐），并具有低柵極電荷和卓越的 dv/dt 性能。
超低接通電阻 RDS（接通）和柵極電荷 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩定
雪崩等級
低封裝電感
國際標準封裝
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 66 A |
| 最大漏源電壓 | 850 V |
| 封裝類型 | TO264 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 65 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最大功率耗散 | 1.25 kW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 230 nC @ 10 V |
| 長度 | 20.3mm |
| 寬度 | 5.3mm |
