STMicroelectronics 功率 MOSFET 系列是使用 STMicroelectronics 獨特的 STripFET ?工藝開發的，該工藝專門設計用于有效減少輸入電容和柵極電荷。這使該設備適合用作 Advanced 高效隔離直流 - 直流轉換器中的主開關，用于電信和計算機應用以及具有低柵極電荷驅動要求的應用。
卓越的 dv/dt 能力
通過 100% 雪崩測試
低柵極電荷
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 23 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 80 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 70 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 6.2mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.6mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
