STMicroelectronics 極高電壓 N 通道功率 MOSFET 設計使用終極 MDmesh K6 技術，基于 20 年 STMicroelectronics 超接點技術經驗。因此，每個區域的杰出 接通電阻和柵極電荷適用于需要卓越功率密度和高效率的應用。此 MOSFET 推薦用于基于回掃拓撲的應用，如 LED 照明，充電器和適配器。提供更大的功率密度，減少 BOM 成本和板尺寸。
全球最佳 RDS (接通) x 區域
全球最佳 FOM (業績數字)
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 16 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
