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訂 貨 號(hào):PMPB215ENEAX 品牌:MP
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
80 V,單個(gè) N 通道 Trench MOSFET,N 通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無(wú)引線中等功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。
Trench MOSFET 技術(shù)
小型無(wú)引線超薄型 SMD 塑料封裝:2 x 2 x 0.65 mm
裸露的散熱墊,用于提供極佳的熱傳導(dǎo)
100% 鍍錫可焊接側(cè)墊,用于光學(xué)焊接檢驗(yàn)
符合 AEC-Q101
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.8 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類(lèi)型 | DFN2020MD-6,SOT1220 |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 445 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.7V |
最小柵閾值電壓 | 1.3V |
最大功率耗散 | 15.6 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 3 |
長(zhǎng)度 | 2.1mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 2.1mm |
典型柵極電荷@Vgs | 4.8 nC @ 10 V |