Infineon p 通道邏輯電平 MOSFET 具有最低的切換和傳導功率損耗,以實現(xiàn)最高熱效率。它采用堅固的封裝,具有卓越的質(zhì)量和可靠性。它經(jīng)過 100% 雪崩測試。
它符合 RoHS 標準且符合 AEC 標準
高側(cè)驅(qū)動器無需電荷泵
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 120 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0034 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.2V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |