Infineon 將最新的汽車 hex場 功率 mosfet 硅技術(shù)與先進 Advanced 平臺結(jié)合起來,為汽車 d 類音頻放大器應(yīng)用提供同類最佳的產(chǎn)品。該封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)等中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。該封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高汽車電源系統(tǒng)中的熱傳遞。這些功能相結(jié)合、使此 mosfet 成為汽車 d 類音頻放大器系統(tǒng)中非常理想的元件。
先進的工藝技術(shù)
175°C 工作溫度
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | Direct場 中型 can |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.056 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |