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850V 超結(jié) X 類功率 MOSFET，具有快速體二極管，代表 IXYS 公司新推出的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。這些堅固耐用的設(shè)備具有行業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻，在高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)非常高的功率密度。采用電荷補償原理和專有工藝技術(shù)開發(fā)而成，全新的 850V 設(shè)備具有最低通態(tài)電阻（例如，SOT-227 封裝為 33 毫歐，PLUS264 為 41 毫歐），并具有低柵極電荷和卓越的 dv/dt 性能。

超低接通電阻 RDS（接通）和柵極電荷 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩(wěn)定
雪崩等級
低封裝電感
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝